En el presente trabajo se creo una teoria que describe los procesos transitorios de calor de los subsistemas de electrones y fonones en semiconductores. En el modelo de una temperatura se considera la absorcion volumetrica de un pulso rectangular de radiacion laser en una muestra solida de dimensiones finitas. Se analizaron los casos de aislamiento adiabatico y el de contacto isotermico. Se obtuvieron los criterios de absorcion de luz superficial y volumetrica. En el modelo de dos temperaturas se obtiene la distribucion de temperatura para el subsistema de electrones y de fonones en peliculas delgadas y muestras masiva. Este modelo muestra que la difusion termica es el principal.
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